DFE252008C-3R3M=P2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DFE252008C-3R3M=P2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DFE252008C-3R3M=P2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DFE252008C-3R3M=P2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DFE252008C-3R3M=P2
- Part Number:
- DFE252008C-3R3M=P2
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FIXED IND 3.3UH 1.3A 252 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46157 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DFE252008C-3R3M=P2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1008 (2520 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | DFE252008C |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1008 (2520 Metric) |
| Inne nazwy: | 490-10631-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Iron Powder |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 1MHz |
| Indukcyjność: | 3.3µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.032" (0.80mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 252 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 252 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 1.3A |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DFE252008C-3R3M=P2
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego