DFE201612R-H-1R5M=P2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DFE201612R-H-1R5M=P2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DFE201612R-H-1R5M=P2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DFE201612R-H-1R5M=P2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DFE201612R-H-1R5M=P2
- Part Number:
- DFE201612R-H-1R5M=P2
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FIXED IND 1.5UH 2A 94 MOHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43433 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DFE201612R-H-1R5M=P2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | DFE201612R |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0806 (2016 Metric) |
| Inne nazwy: | 490-10625-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Iron Powder |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 1MHz |
| Indukcyjność: | 1.5µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 2A 94 mOhm Max 0806 (2016 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 94 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 2A |
| Obecny - Nasycenie: | 2.1A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DFE201612R-H-1R5M=P2
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025