CY7S1041G30-10BVXI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CY7S1041G30-10BVXI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CY7S1041G30-10BVXI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CY7S1041G30-10BVXI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CY7S1041G30-10BVXI
- Part Number:
- CY7S1041G30-10BVXI
- Producent:
- Cypress Semiconductor
- Opis:
- IC SRAM 4MB 10NS 44BGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46591 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.CY7S1041G30-10BVXI.pdf2.CY7S1041G30-10BVXI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 48-VFBGA (6x8) |
| standardy: | Volatile |
| Oprogramowanie: | 4Mb (256K x 16) |
| Shell Style: | 2.2 V ~ 3.6 V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tray |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 10ns |
| Polaryzacja: | 48-VFBGA |
| Izolacja wyjście: | SRAM |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | CY7S1041G30-10BVXI |
| Berło: | Parallel |
| Opis: | IC SRAM 4MB 10NS 44BGA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CY7S1041G30-10BVXI
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU