CY7S1041G30-10BVXIは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはCY7S1041G30-10BVXIのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
CY7S1041G30-10BVXIをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
CY7S1041G30-10BVXI
- 部品型番:
- CY7S1041G30-10BVXI
- 説明:
- IC SRAM 4MB 10NS 44BGA
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 46591 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - ブレークダウン: | 48-VFBGA (6x8) |
| スタンダード: | Volatile |
| ソフトウェア: | 4Mb (256K x 16) |
| シェルスタイル: | 2.2 V ~ 3.6 V |
| シリーズ: | - |
| RoHSステータス: | Tray |
| 逆回復時間（trrの）: | 10ns |
| 偏光: | 48-VFBGA |
| 出力絶縁: | SRAM |
| 運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 製造元の部品番号: | CY7S1041G30-10BVXI |
| インタフェース: | Parallel |
| 説明: | IC SRAM 4MB 10NS 44BGA |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのCY7S1041G30-10BVXI
最新ニュース
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます