CUS10F30,H3F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CUS10F30,H3F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CUS10F30,H3F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CUS10F30,H3F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CUS10F30,H3F
- Part Number:
- CUS10F30,H3F
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35012 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CUS10F30,H3F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 500mV @ 1A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 30V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | USC |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-76, SOD-323 |
| Inne nazwy: | CUS10F30,H3F(B CUS10F30,H3F(D CUS10F30,H3F(T CUS10F30H3F(TTR CUS10F30H3F(TTR-ND CUS10F30H3FT CUS10F30H3FTR |
| Temperatura pracy - złącze: | 125°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount USC |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 50µA @ 30V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1A |
| Pojemność @ VR F: | 170pF @ 0V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | CUS10F30 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CUS10F30,H3F
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?