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CUS10F30,H3F
- Número de pieza:
- CUS10F30,H3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 35012 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- CUS10F30,H3F.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 500mV @ 1A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | USC |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-76, SOD-323 |
| Otros nombres: | CUS10F30,H3F(B CUS10F30,H3F(D CUS10F30,H3F(T CUS10F30H3F(TTR CUS10F30H3F(TTR-ND CUS10F30H3FT CUS10F30H3FTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 125°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount USC |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 50µA @ 30V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 170pF @ 0V, 1MHz |
| Número de pieza base: | CUS10F30 |
| Email: | [email protected] |
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