CSNX1000M-211 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CSNX1000M-211, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CSNX1000M-211 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CSNX1000M-211 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CSNX1000M-211
- Part Number:
- CSNX1000M-211
- Opis:
- CURRENT SENSOR
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28039 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CSNX1000M-211.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Seria: | CSN |
| Typ czujnika: | Magnetoresistive, Open Loop |
| Wrażliwość: | - |
| Czas odpowiedzi: | 0.2µs |
| Polaryzacja: | Bidirectional |
| Package / Case: | 8-DIP Module |
| Wydajność: | Ratiometric, Current |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 3 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Liniowość: | ±0.1% |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość: | DC ~ 200kHz |
| Do pomiaru: | AC/DC |
| szczegółowy opis: | Current Sensor 8A, 12A, 25A (Selectable) 3 Channel Magnetoresistive, Open Loop Bidirectional 8-DIP Module |
| Obecny - Dostawa (Max): | 12mA |
| Obecny - Sensing: | 8A, 12A, 25A (Selectable) |
| Precyzja: | ±0.24% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CSNX1000M-211
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS