CSNX1000M-211 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CSNX1000M-211 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CSNX1000M-211 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CSNX1000M-211 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CSNX1000M-211
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CSNX1000M-211
- ลักษณะ:
- CURRENT SENSOR
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 28039 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CSNX1000M-211.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| ชุด: | CSN |
| ประเภทเซนเซอร์: | Magnetoresistive, Open Loop |
| ความไวแสง: | - |
| เวลาตอบสนอง: | 0.2µs |
| โพลาไรซ์: | Bidirectional |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-DIP Module |
| เอาท์พุต: | Ratiometric, Current |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนช่อง: | 3 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| เส้นตรง: | ±0.1% |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่: | DC ~ 200kHz |
| สำหรับการวัด: | AC/DC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Current Sensor 8A, 12A, 25A (Selectable) 3 Channel Magnetoresistive, Open Loop Bidirectional 8-DIP Module |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 12mA |
| ปัจจุบัน - ตรวจจับ: | 8A, 12A, 25A (Selectable) |
| ความถูกต้อง: | ±0.24% |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CSNX1000M-211
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร