CL32B106KBJZW6E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CL32B106KBJZW6E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CL32B106KBJZW6E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CL32B106KBJZW6E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CL32B106KBJZW6E
- Part Number:
- CL32B106KBJZW6E
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- CAP CER 10UF 50V X7R 1210
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50445 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.CL32B106KBJZW6E.pdf2.CL32B106KBJZW6E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 50V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Grubość (maks): | 0.106" (2.70mm) |
| Współczynnik temperaturowy: | X7R |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Seria: | CL |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1210 (3225 Metric) |
| Inne nazwy: | 1276-7052-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Soft Termination |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 10µF ±10% 50V Ceramic Capacitor X7R 1210 (3225 Metric) |
| Pojemność: | 10µF |
| Aplikacje: | Boardflex Sensitive |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CL32B106KBJZW6E
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen