CL32B105MBHNNNE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CL32B105MBHNNNE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CL32B105MBHNNNE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CL32B105MBHNNNE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CL32B105MBHNNNE
- Part Number:
- CL32B105MBHNNNE
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- CAP CER 1UF 50V X7R 1210
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43490 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 50V |
| Tolerancja: | 1µF |
| Grubość (maks): | X7R |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Seria: | CL |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | General Purpose |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 1210 (3225 Metric) |
| Inne nazwy: | 1276-3321-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | CL32B105MBHNNNE |
| Lead Style: | 0.071" (1.80mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| Rozszerzony opis: | 1µF ±20% 50V Ceramic Capacitor X7R 1210 (3225 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | CAP CER 1UF 50V X7R 1210 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CL32B105MBHNNNE
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku