CIGW252010GM2R2MSE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CIGW252010GM2R2MSE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CIGW252010GM2R2MSE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CIGW252010GM2R2MSE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CIGW252010GM2R2MSE
- Part Number:
- CIGW252010GM2R2MSE
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- FIXED IND 2.2UH SMD
- Wielkość zbiorów:
- 53592 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CIGW252010GM2R2MSE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1008 (2520 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | CIGW |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Package / Case: | 1008 (2520 Metric) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Materiał - Rdzeń: | Metal Composite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 1MHz |
| Indukcyjność: | 2.2µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1008 (2520 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | - |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CIGW252010GM2R2MSE
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia