CIGW252010GLR33MNE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CIGW252010GLR33MNE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CIGW252010GLR33MNE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CIGW252010GLR33MNE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CIGW252010GLR33MNE
- Part Number:
- CIGW252010GLR33MNE
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- FIXED IND 330NH 6.2A 16MOHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27438 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CIGW252010GLR33MNE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1008 (2520 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | CIGW |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 1008 (2520 Metric) |
| Inne nazwy: | 1276-6936-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Metal Composite |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 1MHz |
| Indukcyjność: | 330nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 6.2A 16 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 16 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 6.2A |
| Obecny - Nasycenie: | 6.2A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CIGW252010GLR33MNE
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash