CDZT2RA5.6B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CDZT2RA5.6B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CDZT2RA5.6B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CDZT2RA5.6B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CDZT2RA5.6B
- Part Number:
- CDZT2RA5.6B
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- DIODE ZENER 5.6V 100MW VMN2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27467 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CDZT2RA5.6B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 5.6V |
| Tolerancja: | ±2% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | VMN2 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 100mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOD-923 |
| Inne nazwy: | CDZT2RA5.6BTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 60 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 5.6V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1µA @ 2.5V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CDZT2RA5.6B
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM