CDZT2RA7.5B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CDZT2RA7.5B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CDZT2RA7.5B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CDZT2RA7.5B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CDZT2RA7.5B
- Part Number:
- CDZT2RA7.5B
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- DIODE ZENER 7.5V 100MW VMN2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39038 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CDZT2RA7.5B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 7.5V |
| Tolerancja: | ±2% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | VMN2 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 100mW |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | SOD-923 |
| Inne nazwy: | CDZT2RA7.5BCT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 30 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 7.5V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 500nA @ 4V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CDZT2RA7.5B
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny