CDBDSC51200-G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CDBDSC51200-G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CDBDSC51200-G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CDBDSC51200-G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CDBDSC51200-G
- Part Number:
- CDBDSC51200-G
- Producent:
- Comchip Technology
- Opis:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22380 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CDBDSC51200-G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.7V @ 5A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1200V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D-PAK (TO-252) |
| Prędkość: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 0ns |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Inne nazwy: | 641-1930 |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Silicon Carbide Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 18A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100µA @ 1200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 18A (DC) |
| Pojemność @ VR F: | 475pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CDBDSC51200-G
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego