CDBDSC51200-G
Modèle de produit:
CDBDSC51200-G
Fabricant:
Comchip Technology
La description:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
22380 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
CDBDSC51200-G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.7V @ 5A
Tension - inverse (Vr) (max):1200V
Package composant fournisseur:D-PAK (TO-252)
La vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):0ns
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:641-1930
Température d'utilisation - Jonction:-55°C ~ 175°C
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Silicon Carbide Schottky
Description détaillée:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 18A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Courant - fuite, inverse à Vr:100µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io):18A (DC)
Capacité à Vr, F:475pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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