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CDBDSC10650-G
- Modèle de produit:
- CDBDSC10650-G
- Fabricant:
- Comchip Technology
- La description:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 58968 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- CDBDSC10650-G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.7V @ 10A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
| Package composant fournisseur: | D-PAK (TO-252) |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | 641-1928 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 33A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252) |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 100µA @ 650V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 33A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 690pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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