BTA410-600ET,127 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BTA410-600ET,127, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BTA410-600ET,127 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BTA410-600ET,127 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BTA410-600ET,127
- Part Number:
- BTA410-600ET,127
- Producent:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Opis:
- TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26273 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BTA410-600ET,127.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 600V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 1.5V |
| triaka: | Logic - Sensitive Gate |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AB |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | 934066142127 |
| temperatura robocza: | 125°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 10A Through Hole TO-220AB |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 10A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 100A, 110A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 15mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 10mA |
| Konfiguracja: | Single |
| Podstawowy numer części: | BTA410-600 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BTA410-600ET,127
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?