BTA408X-1000C0TQ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BTA408X-1000C0TQ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BTA408X-1000C0TQ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BTA408X-1000C0TQ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BTA408X-1000C0TQ
- Part Number:
- BTA408X-1000C0TQ
- Producent:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Opis:
- BTA408X-1000C0TQ/TO-220F/STANDAR
- Wielkość zbiorów:
- 38645 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BTA408X-1000C0TQ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 1.5kV |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 1V |
| triaka: | Standard |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220F |
| Seria: | - |
| Package / Case: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Inne nazwy: | 934660061127 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Status bezołowiowy: | Lead free |
| szczegółowy opis: | TRIAC Standard 1.5kV 8A Through Hole TO-220F |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 8A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 100A, 110A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 40mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 35mA |
| Konfiguracja: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BTA408X-1000C0TQ
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego