BT169G/DG,126 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BT169G/DG,126, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BT169G/DG,126 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BT169G/DG,126 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BT169G/DG,126
- Part Number:
- BT169G/DG,126
- Producent:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Opis:
- THYRISTOR 600V 0.8A TO-92
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57621 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BT169G/DG,126.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Na członkowskim (VTM) (max): | 1.7V |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 600V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 800mV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92-3 |
| Seria: | - |
| Rodzaj SCR: | Sensitive Gate |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Inne nazwy: | 1740-1427-1 568-9613-1 568-9613-1-ND |
| temperatura robocza: | - |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SCR 600V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3 |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 800mA |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 500mA |
| Obecny - Off State (max): | 100µA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 8A, 9A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 5mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 200µA |
| Podstawowy numer części: | BT169 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BT169G/DG,126
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS