BT169G/DG,126 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BT169G/DG,126، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BT169G/DG,126 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BT169G/DG,126 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BT169G/DG,126
- رقم القطعة:
- BT169G/DG,126
- الصانع:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- وصف:
- THYRISTOR 600V 0.8A TO-92
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57621 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BT169G/DG,126.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - في دولة (فتم) (ماكس): | 1.7V |
| الجهد - الدولة معطلة: | 600V |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس): | 800mV |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92-3 |
| سلسلة: | - |
| نوع SCR: | Sensitive Gate |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| اسماء اخرى: | 1740-1427-1 568-9613-1 568-9613-1-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SCR 600V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3 |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس): | 800mA |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس): | 500mA |
| التيار - إيقاف الدولة (ماكس): | 100µA |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات): | 8A, 9A |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس): | 5mA |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس): | 200µA |
| رقم جزء القاعدة: | BT169 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBT169G/DG,126
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS