BM6108FV-LBE2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BM6108FV-LBE2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BM6108FV-LBE2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BM6108FV-LBE2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BM6108FV-LBE2
- Part Number:
- BM6108FV-LBE2
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- OPTOISO 2.5KV GATE DRVR 20SSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50290 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BM6108FV-LBE2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 5A, 1A |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | - |
| Napięcie - Podział: | 20-SSOP-BW |
| wyczucie czasu: | - |
| Technologia: | Magnetic Coupling |
| Shell Style: | 10 V ~ 24 V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | - |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 100kV/µs |
| Polaryzacja: | 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | BM6108FV-LBE2 |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 50ns, 50ns |
| Rozszerzony opis: | 5A, 1A Gate Driver Magnetic Coupling 2500Vrms 1 Channel 20-SSOP-BW |
| Opis: | OPTOISO 2.5KV GATE DRVR 20SSOP |
| Obecny współczynnik przenikania (min): | - |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | - |
| Obecny - Breakover: | 2500Vrms |
| Zatwierdzenia: | UR |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BM6108FV-LBE2
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS