BM6108FV-LBE2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BM6108FV-LBE2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BM6108FV-LBE2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BM6108FV-LBE2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BM6108FV-LBE2
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BM6108FV-LBE2
- ผู้ผลิต:
- LAPIS Semiconductor
- ลักษณะ:
- OPTOISO 2.5KV GATE DRVR 20SSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 50290 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BM6108FV-LBE2.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด): | 5A, 1A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | - |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 20-SSOP-BW |
| การจับเวลา: | - |
| เทคโนโลยี: | Magnetic Coupling |
| สไตล์เชลล์: | 10 V ~ 24 V |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| การบิดเบือนความกว้างของพัลส์ (สูงสุด): | - |
| ความล่าช้าในการกระจาย tpLH / tpHL (สูงสุด): | 100kV/µs |
| โพลาไรซ์: | 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C |
| จำนวนช่อง: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BM6108FV-LBE2 |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน): | 50ns, 50ns |
| ขยายคำอธิบาย: | 5A, 1A Gate Driver Magnetic Coupling 2500Vrms 1 Channel 20-SSOP-BW |
| ลักษณะ: | OPTOISO 2.5KV GATE DRVR 20SSOP |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด): | - |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด): | - |
| ปัจจุบัน - Breakover: | 2500Vrms |
| ได้รับการอนุมัติ: | UR |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BM6108FV-LBE2
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS