B82732R2222B030 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B82732R2222B030, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B82732R2222B030 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B82732R2222B030 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B82732R2222B030
- Part Number:
- B82732R2222B030
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- CMC 3.3MH 2.2A 2LN TH
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58446 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B82732R2222B030.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | - |
| Napięcie znamionowe - AC: | 250V |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.945" L x 0.650" W (24.00mm x 16.50mm) |
| Seria: | B82732 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | Vertical, 4 PC Pin |
| Inne nazwy: | 495-2779 B82732R2222B 30 B82732R2222B30 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba linii: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 34 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność @ Częstotliwość: | 3.3mH @ 10kHz |
| Wysokość (max): | 0.925" (23.50mm) |
| Rodzaj filtra: | Power Line |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 3.3mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2.2A DCR 110 mOhm (Typ) |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 110 mOhm (Typ) |
| Karta Grubość (mm): | 2.2A |
| Zatwierdzenia: | ENEC, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B82732R2222B030
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia