B82732R2222B030 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para B82732R2222B030, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para B82732R2222B030 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre B82732R2222B030 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
B82732R2222B030
- Modelo do Produto:
- B82732R2222B030
- Fabricante:
- EPCOS
- Descrição:
- CMC 3.3MH 2.2A 2LN TH
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 58446 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- B82732R2222B030.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Regime de tensão - DC: | - |
| Regime de tensão - AC: | 250V |
| Tamanho / Dimensão: | 0.945" L x 0.650" W (24.00mm x 16.50mm) |
| Série: | B82732 |
| classificações: | - |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | Vertical, 4 PC Pin |
| Outros nomes: | 495-2779 B82732R2222B 30 B82732R2222B30 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C |
| Número de linhas: | 2 |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 34 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indutância @ Frequência: | 3.3mH @ 10kHz |
| Altura (Max): | 0.925" (23.50mm) |
| Tipo de filtro: | Power Line |
| Características: | - |
| Descrição detalhada: | 3.3mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2.2A DCR 110 mOhm (Typ) |
| Resistência DC (DCR) (máx.): | 110 mOhm (Typ) |
| Cartão Espessura (mm): | 2.2A |
| aprovações: | ENEC, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para B82732R2222B030
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga