APT13003EZTR-G1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla APT13003EZTR-G1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla APT13003EZTR-G1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup APT13003EZTR-G1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
APT13003EZTR-G1
- Part Number:
- APT13003EZTR-G1
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- TRANS NPN 465V 1.5A TO92
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24821 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- APT13003EZTR-G1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 465V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 400mV @ 250mA, 1A |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 1.1W |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Inne nazwy: | APT13003EZTR-G1DI |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 4MHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 465V 1.5A 4MHz 1.1W Through Hole TO-92 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 13 @ 500mA, 2V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | - |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do APT13003EZTR-G1
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM