APT13005SI-G1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla APT13005SI-G1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla APT13005SI-G1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup APT13005SI-G1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
APT13005SI-G1
- Part Number:
- APT13005SI-G1
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- TRANS NPN 450V 3.2A TO251
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53089 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- APT13005SI-G1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 450V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 1V @ 750mA, 3A |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-251 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 25W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Inne nazwy: | APT13005SI-G1DI |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 4MHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 3.2A 4MHz 25W Through Hole TO-251 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 8 @ 2A, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | - |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 3.2A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do APT13005SI-G1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny