6116LA120TDB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 6116LA120TDB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 6116LA120TDB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 6116LA120TDB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
6116LA120TDB
- Part Number:
- 6116LA120TDB
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 46339 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 6116LA120TDB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 120ns |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | SRAM - Asynchronous |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 24-CDIP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Inne nazwy: | IDT6116LA120TDB IDT6116LA120TDB-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 16Kb (2K x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | SRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 120ns 24-CDIP |
| Podstawowy numer części: | IDT6116 |
| Czas dostępu: | 120ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 6116LA120TDB
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego