Το 6116LA120TDB είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 6116LA120TDB, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 6116LA120TDB μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 6116LA120TDB με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
6116LA120TDB
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 6116LA120TDB
- Κατασκευαστής:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Περιγραφή:
- IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46339 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 6116LA120TDB.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | 120ns |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Τεχνολογία: | SRAM - Asynchronous |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 24-CDIP |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Αλλα ονόματα: | IDT6116LA120TDB IDT6116LA120TDB-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τύπος μνήμης: | Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 16Kb (2K x 8) |
| Διασύνδεση μνήμης: | Parallel |
| Μορφή μνήμης: | SRAM |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 120ns 24-CDIP |
| Αριθμός μέρους βάσης: | IDT6116 |
| Χρόνος πρόσβασης: | 120ns |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 6116LA120TDB
Latest Ειδήσεις
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα