2SD2607FU6 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2SD2607FU6, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2SD2607FU6 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2SD2607FU6 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2SD2607FU6
- Part Number:
- 2SD2607FU6
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45855 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2SD2607FU6.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 8A |
| Napięcie - Podział: | TO-220FN |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 100V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Opornik - Baza (R1) (Ohm): | 40MHz |
| Moc - Max: | 2W |
| Polaryzacja: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | 2SD2607FU6 |
| Częstotliwość - Transition: | 1000 @ 2A, 3V |
| Rozszerzony opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 40MHz 2W Through Hole TO-220FN |
| Opis: | TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 10µA (ICBO) |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 1.5V @ 6mA, 3A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | NPN - Darlington |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2SD2607FU6
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS