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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > 2SD2607FU6
2SD2607FU6
2SD2607FU6
Artikelnummer:
2SD2607FU6
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
45855 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
2SD2607FU6.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):8A
Spannung - Durchschlag:TO-220FN
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:100V
Serie:-
RoHS Status:Bulk
Widerstand - Base (R1) (Ohm):40MHz
Leistung - max:2W
Polarisation:TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:2SD2607FU6
Frequenz - Übergang:1000 @ 2A, 3V
Expanded Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 40MHz 2W Through Hole TO-220FN
Beschreibung:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:10µA (ICBO)
Strom - Collector Cutoff (Max):1.5V @ 6mA, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (max):NPN - Darlington
Email:[email protected]

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