1SS387,L3F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1SS387,L3F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1SS387,L3F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1SS387,L3F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1SS387,L3F
- Part Number:
- 1SS387,L3F
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20309 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1SS387,L3F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.2V @ 100mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 80V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ESC |
| Prędkość: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 4ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-79, SOD-523 |
| Inne nazwy: | 1SS387(TL3,F,D) 1SS387(TL3FD)TR 1SS387(TL3FD)TR-ND 1SS387,L3F(B 1SS387,L3F(T 1SS387L3FTR 1SS387TL3FD |
| Temperatura pracy - złącze: | 125°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 80V 100mA Surface Mount ESC |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 500nA @ 80V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 100mA |
| Pojemność @ VR F: | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | 1SS387 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1SS387,L3F
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego