1SS387,L3F
1SS387,L3F
Modèle de produit:
1SS387,L3F
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
20309 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1SS387,L3F.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.2V @ 100mA
Tension - inverse (Vr) (max):80V
Package composant fournisseur:ESC
La vitesse:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):4ns
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-79, SOD-523
Autres noms:1SS387(TL3,F,D)
1SS387(TL3FD)TR
1SS387(TL3FD)TR-ND
1SS387,L3F(B
1SS387,L3F(T
1SS387L3FTR
1SS387TL3FD
Température d'utilisation - Jonction:125°C (Max)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 80V 100mA Surface Mount ESC
Courant - fuite, inverse à Vr:500nA @ 80V
Courant - Rectifié moyenne (Io):100mA
Capacité à Vr, F:3pF @ 0V, 1MHz
Numéro de pièce de base:1SS387
Email:[email protected]

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