1N4448HLP-7 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N4448HLP-7, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N4448HLP-7 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N4448HLP-7 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N4448HLP-7
- Part Number:
- 1N4448HLP-7
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44648 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N4448HLP-7.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 100mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 80V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | X1-DFN1006-2 |
| Prędkość: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 4ns |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 0402 (1006 Metric) |
| Inne nazwy: | 1N4448HLP-CT 1N4448HLP-CT-ND 1N4448HLP-FCT 1N4448HLP-FCT-ND 1N4448HLPDICT |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 80V 125mA Surface Mount X1-DFN1006-2 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100nA @ 80V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 125mA |
| Pojemność @ VR F: | 3pF @ 0.5V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | 1N4448H |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N4448HLP-7
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS