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1N4448HLP-7
- Modèle de produit:
- 1N4448HLP-7
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 44648 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1N4448HLP-7.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1V @ 100mA |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 80V |
| Package composant fournisseur: | X1-DFN1006-2 |
| La vitesse: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 4ns |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 0402 (1006 Metric) |
| Autres noms: | 1N4448HLP-CT 1N4448HLP-CT-ND 1N4448HLP-FCT 1N4448HLP-FCT-ND 1N4448HLPDICT |
| Température d'utilisation - Jonction: | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 80V 125mA Surface Mount X1-DFN1006-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 100nA @ 80V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 125mA |
| Capacité à Vr, F: | 3pF @ 0.5V, 1MHz |
| Numéro de pièce de base: | 1N4448H |
| Email: | [email protected] |
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