APT47N65SCS3G er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for APT47N65SCS3G, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for APT47N65SCS3G via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp APT47N65SCS3G med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
APT47N65SCS3G
- Delenummer:
- APT47N65SCS3G
- Produsent:
- Microsemi
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 51375 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- APT47N65SCS3G.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | - |
| Vgs (maks): | ±20V |
| Teknologi: | - |
| Leverandør Enhetspakke: | - |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | - |
| Strømdissipasjon (maks): | 417W (Tc) |
| emballasje: | - |
| Pakke / tilfelle: | - |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type: | - |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Detaljert beskrivelse: | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til APT47N65SCS3G
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
APT4M120K | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 | Forespørsel |
 |
APT47M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Forespørsel |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Forespørsel |
 |
APT47N65BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | Forespørsel |
 |
APT48M80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 | Forespørsel |
 |
APT48M80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX | Forespørsel |
|
APT5010JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Forespørsel |
|
APT47N60BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | Forespørsel |
 |
APT5010JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Forespørsel |
|
APT5010B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Forespørsel |
|
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Forespørsel |
|
APT4F120K | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 | Forespørsel |
|
APT5010JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | Forespørsel |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Forespørsel |
|
APT47GA60JD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 87A 283W SOT-227 | Forespørsel |
|
APT46GA90JD40 | Microsemi | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | Forespørsel |
|
APT5010JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | Forespørsel |
|
APT5010B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Forespørsel |
|
APT47F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Forespørsel |
 |
APT47N60SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK | Forespørsel |
Latest News
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Finansiell rapport fra første kvartal for SEF Semiconductor (ST) avtar, og etterspørselen etter biler har avtatt
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Lokal moden brikkevolum, Samsung Nand Flash Memory Production Capacity nær belastning
- Vishay lanserer miniled emballasje høy lysstyrke liten blå og ren grønn LED
- Ansonmei lanserte en induktiv posisjonssensor for industri- og transportmarkedet
- Ruisa starter den gamle fabrikken for å øke kraftanordningen, jordskjelvet påvirker dramproduksjonen mildt
- Microchip muliggjør produksjonskapasiteten til TSMC og øker prisøkningen
- Ruisa lanserte den nye RA0 -serien Ultra -Low Power Entry -MCU -nivå MCU
- Melexis lanserer en full -integrert induktorbryterbrikke
- X-FAB introduserer bildesensor tilbake belysningsteknologi for å forbedre CMOS-sensorytelsen