APT47N65SCS3G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT47N65SCS3G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT47N65SCS3G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT47N65SCS3G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT47N65SCS3G
- رقم القطعة:
- APT47N65SCS3G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51375 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT47N65SCS3G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 417W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | - |
| حزمة / كيس: | - |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع FET: | - |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| وصف تفصيلي: | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT47N65SCS3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT4M120K | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 | تحقيق |
 |
APT47M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | تحقيق |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
 |
APT47N65BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | تحقيق |
 |
APT48M80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 | تحقيق |
 |
APT48M80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX | تحقيق |
|
APT5010JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | تحقيق |
|
APT47N60BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | تحقيق |
 |
APT5010JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | تحقيق |
|
APT5010B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | تحقيق |
|
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | تحقيق |
|
APT4F120K | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 | تحقيق |
|
APT5010JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | تحقيق |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
|
APT47GA60JD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 87A 283W SOT-227 | تحقيق |
|
APT46GA90JD40 | Microsemi | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | تحقيق |
|
APT5010JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | تحقيق |
|
APT5010B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | تحقيق |
|
APT47F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT47N60SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS