APT47N65SCS3G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT47N65SCS3G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT47N65SCS3G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT47N65SCS3G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APT47N65SCS3G
- Part Number:
- APT47N65SCS3G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 51375 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APT47N65SCS3G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | - |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | - |
| Dodavatel zařízení Package: | - |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Ztráta energie (Max): | 417W (Tc) |
| Obal: | - |
| Paket / krabice: | - |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ FET: | - |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Detailní popis: | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT47N65SCS3G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT4M120K | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 | Dotaz |
 |
APT47M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Dotaz |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dotaz |
 |
APT47N65BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | Dotaz |
 |
APT48M80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 | Dotaz |
 |
APT48M80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX | Dotaz |
|
APT5010JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Dotaz |
|
APT47N60BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | Dotaz |
 |
APT5010JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Dotaz |
|
APT5010B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Dotaz |
|
APT45M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Dotaz |
|
APT4F120K | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 | Dotaz |
|
APT5010JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | Dotaz |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dotaz |
|
APT47GA60JD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 87A 283W SOT-227 | Dotaz |
|
APT46GA90JD40 | Microsemi | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | Dotaz |
|
APT5010JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | Dotaz |
|
APT5010B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Dotaz |
|
APT47F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | Dotaz |
 |
APT47N60SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK | Dotaz |
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS