1N6080 er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for 1N6080, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for 1N6080 via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp 1N6080 med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
1N6080
- Delenummer:
- 1N6080
- Produsent:
- Microsemi
- Beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL
- Lead Free Status:
- Inneholder bly / RoHS ikke-kompatibel
- Lager Antall:
- 56165 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- 1N6080.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Spenning - Videresend (Vf) (Maks) @ Hvis: | 1.5V @ 37.7A |
| Spenning - DC-omvendt (Vr) (Maks): | 100V |
| Hastighet: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Omvendt gjenopprettingstid (trr): | 30ns |
| emballasje: | Bulk |
| Pakke / tilfelle: | A, Axial |
| Driftstemperatur - Kobling: | -65°C ~ 155°C |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diodetype: | Standard |
| Detaljert beskrivelse: | Diode Standard 100V 2A Through Hole |
| Strøm - Omvendt lekkasje @ Vr: | 10µA @ 100V |
| Gjeldende - Gjennomsnittlig Rectified (Io): | 2A |
| Kapasitans @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til 1N6080
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
1N6076 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL | Forespørsel |
 |
1N6075US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A D5A | Forespørsel |
 |
1N6080 | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL | Forespørsel |
|
1N6078 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL | Forespørsel |
 |
1N6096R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4 | Forespørsel |
|
1N6077 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL | Forespørsel |
|
1N6080US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF | Forespørsel |
|
1N6095 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4 | Forespørsel |
|
1N6096 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4 | Forespørsel |
|
1N6081 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL | Forespørsel |
|
1N6077US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A D5B | Forespørsel |
 |
1N6095R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4 | Forespørsel |
|
1N6079US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF | Forespørsel |
|
1N6081US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF | Forespørsel |
|
1N6079 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL | Forespørsel |
|
1N6076US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A D5B | Forespørsel |
|
1N6096 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | Forespørsel |
|
1N6078US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A D5B | Forespørsel |
|
1N6081 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL | Forespørsel |
|
1N6079 | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL | Forespørsel |
Latest News
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport kunngjorde, og prisen på kobberprisene overføres til IC -bransjen
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Finansiell rapport fra første kvartal for SEF Semiconductor (ST) avtar, og etterspørselen etter biler har avtatt
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Lokal moden brikkevolum, Samsung Nand Flash Memory Production Capacity nær belastning