1N6080 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 1N6080، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 1N6080 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 1N6080 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
1N6080
- رقم القطعة:
- 1N6080
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 56165 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1N6080.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.5V @ 37.7A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 30ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | A, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 155°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 100V 2A Through Hole |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N6080
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N6076 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL | تحقيق |
 |
1N6075US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A D5A | تحقيق |
 |
1N6080 | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL | تحقيق |
|
1N6078 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL | تحقيق |
 |
1N6096R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4 | تحقيق |
|
1N6077 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL | تحقيق |
|
1N6080US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF | تحقيق |
|
1N6095 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4 | تحقيق |
|
1N6096 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4 | تحقيق |
|
1N6081 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL | تحقيق |
|
1N6077US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A D5B | تحقيق |
 |
1N6095R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4 | تحقيق |
|
1N6079US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF | تحقيق |
|
1N6081US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF | تحقيق |
|
1N6079 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL | تحقيق |
|
1N6076US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A D5B | تحقيق |
|
1N6096 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | تحقيق |
|
1N6078US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A D5B | تحقيق |
|
1N6081 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL | تحقيق |
|
1N6079 | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل