1N6080 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for 1N6080, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for 1N6080 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb 1N6080 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
1N6080
- Varenummer:
- 1N6080
- Fabrikant:
- Microsemi
- Beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL
- Blyfri status:
- Indeholder bly / RoHS ikke-kompatibel
- Lager Antal:
- 56165 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- 1N6080.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis: | 1.5V @ 37.7A |
| Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max): | 100V |
| Fart: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Reverse Recovery Time (trr): | 30ns |
| Emballage: | Bulk |
| Pakke / tilfælde: | A, Axial |
| Driftstemperatur - Junction: | -65°C ~ 155°C |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Blyfri Status / RoHS Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diodetype: | Standard |
| Detaljeret beskrivelse: | Diode Standard 100V 2A Through Hole |
| Nuværende - Reverse Lækage @ Vr: | 10µA @ 100V |
| Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io): | 2A |
| Kapacitans @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til 1N6080
| Billede | Varenummer | producenter | Beskrivelse | Udsigt |
|---|---|---|---|---|
 |
1N6076 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL | Forespørgsel |
 |
1N6075US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A D5A | Forespørgsel |
 |
1N6080 | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL | Forespørgsel |
|
1N6078 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL | Forespørgsel |
 |
1N6096R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4 | Forespørgsel |
|
1N6077 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL | Forespørgsel |
|
1N6080US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF | Forespørgsel |
|
1N6095 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4 | Forespørgsel |
|
1N6096 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4 | Forespørgsel |
|
1N6081 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL | Forespørgsel |
|
1N6077US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A D5B | Forespørgsel |
 |
1N6095R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4 | Forespørgsel |
|
1N6079US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF | Forespørgsel |
|
1N6081US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF | Forespørgsel |
|
1N6079 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL | Forespørgsel |
|
1N6076US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A D5B | Forespørgsel |
|
1N6096 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | Forespørgsel |
|
1N6078US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A D5B | Forespørgsel |
|
1N6081 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL | Forespørgsel |
|
1N6079 | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL | Forespørgsel |
Laast News
- HBM -produktionskapacitet er udelukket, DRAM -hukommelse kan være mangelvare i andet halvår
- Wallstifter slutter, HBM eller får dram til at stige igen
- AI mobiltelefon og pc -udvidelse efterspørgsel, global halvlederfremstilling af industrien forbedring
- Forstå behovene hos ADAS og Cabin Monitoring Systems for Network Security Image Sensors
- Det ryktes, at Samsung og SK Hynix stoppede DDR3, og promoveringstilbudet steg med 20 %
- Melexis frigav MLX90427: linjekontrol til nyt valg, sikker, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport annoncerede, og priserne på kobberpriserne overføres til IC -industrien
- Moels Micro Electronics har oprettet et nyt kontorer i Taiwan, Kina for at udvide forretningsområdet
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Den første kvartals økonomiske rapport fra SEF Semiconductor (ST) falder, og efterspørgslen efter biler er aftaget
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Lokal moden chipvolumen, samsung nand flash hukommelsesproduktionskapacitet nær belastning