TK16J60W,S1VQ
TK16J60W,S1VQ
部品型番:
TK16J60W,S1VQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
44051 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
TK16J60W,S1VQ.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):3.7V @ 790µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-3P(N)
シリーズ:DTMOSIV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):190 mOhm @ 7.9A, 10V
電力消費(最大):130W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
他の名前:TK16J60W,S1VQ(O
TK16J60WS1VQ
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1350pF @ 300V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:38nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Super Junction
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
詳細な説明:N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):15.8A (Ta)
Email:[email protected]

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