TK16J60W,S1VQ
TK16J60W,S1VQ
Nomor bagian:
TK16J60W,S1VQ
Pabrikan:
Toshiba Semiconductor and Storage
Deskripsi:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
44051 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
TK16J60W,S1VQ.pdf

pengantar

TK16J60W,S1VQ tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk TK16J60W,S1VQ, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk TK16J60W,S1VQ melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli TK16J60W,S1VQ dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 790µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:TO-3P(N)
Seri:DTMOSIV
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 7.9A, 10V
Power Disipasi (Max):130W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Nama lain:TK16J60W,S1VQ(O
TK16J60WS1VQ
Suhu Operasional:150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:1350pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:Super Junction
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):600V
Detil Deskripsi:N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:15.8A (Ta)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar