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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TK160F10N1L,LQ
TK160F10N1L,LQ
部品型番:
TK160F10N1L,LQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
56392 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
TK160F10N1L,LQ.pdf
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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS（TH）（最大）:3.5V @ 1mA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220SM(W)
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:2.4 mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大）:375W (Tc)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:TK160F10N1LLQ
運転温度:175°C
装着タイプ:Surface Mount
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:10100pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:122nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:100V
詳細な説明:N-Channel 100V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:160A (Ta)
Email:[email protected]

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