QS8M12TCRは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはQS8M12TCRのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
QS8M12TCRをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
QS8M12TCR
- 部品型番:
- QS8M12TCR
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 42639 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- QS8M12TCR.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 1mA |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TSMT8 |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 42 mOhm @ 4A, 10V |
| 電力 - 最大: | 1.5W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
| 他の名前: | QS8M12TCRTR |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 250pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 3.4nC @ 5V |
| FETタイプ: | N and P-Channel |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 詳細な説明: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 4A |
| ベース部品番号: | *M12 |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのQS8M12TCR
最新ニュース
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます