FDD3510H
FDD3510H
部品型番:
FDD3510H
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
49042 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
FDD3510H.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:TO-252-4L
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):80 mOhm @ 4.3A, 10V
電力 - 最大:1.3W
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
他の名前:FDD3510HDKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:7 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:800pF @ 40V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:18nC @ 10V
FETタイプ:N and P-Channel, Common Drain
FET特長:Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン:80V
詳細な説明:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):4.3A, 2.8A
Email:[email protected]

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