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FDD3510H
- Número de pieza:
- FDD3510H
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 49042 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- FDD3510H.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | TO-252-4L |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 80 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Potencia - Max: | 1.3W |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Otros nombres: | FDD3510HDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 7 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel, Common Drain |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.3A, 2.8A |
| Email: | [email protected] |
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