QS8M12TCR
QS8M12TCR
Modèle de produit:
QS8M12TCR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
42639 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
QS8M12TCR.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur:TSMT8
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:42 mOhm @ 4A, 10V
Puissance - Max:1.5W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Autres noms:QS8M12TCRTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3.4nC @ 5V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A
Numéro de pièce de base:*M12
Email:[email protected]

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