QS8J2TR
QS8J2TR
Modèle de produit:
QS8J2TR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
38838 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.QS8J2TR.pdf2.QS8J2TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Package composant fournisseur:TSMT8
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:36 mOhm @ 4A, 4.5V
Puissance - Max:550mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1940pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
type de FET:2 P-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tension drain-source (Vdss):12V
Description détaillée:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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