FQA70N15は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはFQA70N15のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
FQA70N15をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
FQA70N15
- 部品型番:
- FQA70N15
- 説明:
- MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 52500 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- FQA70N15.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - テスト: | 5400pF @ 25V |
| 電圧 - ブレークダウン: | TO-3PN |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 28 mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs（最大）: | 10V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ: | QFET® |
| RoHSステータス: | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 70A (Tc) |
| 偏光: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
| 製造元の部品番号: | FQA70N15 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 175nC @ 10V |
| IGBTタイプ: | ±25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET特長: | N-Channel |
| 拡張された説明: | N-Channel 150V 70A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | - |
| 説明: | MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 150V |
| 静電容量比: | 330W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのFQA70N15
最新ニュース
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます
- Ruisaは新しいRA0シリーズUltra -Low Power Entry -Level MCUを発売しました
- Melexisは、完全な統合インダクタスイッチチップを起動します
- X-FABは、CMOSセンサーのパフォーマンスを向上させるためにイメージセンサーバックイルミネーションテクノロジーを導入します
- 大規模なチップ工場は地震の影響を受けました。TSMCは緊急に動作を停止し、GPUの供給が不足していますか？